книги Наука, техника, медицина Техника Транспорт Воздушный транспорт

Compact Modeling for MOSFET Devices. Small-Signal Models for Multiple-Gate Transistors

Код 911300

Нет в продаже

Аннотация к книге "Compact Modeling for MOSFET Devices. Small-Signal Models for Multiple-Gate Transistors"

Compact models of devices are used in circuit simulators, in order to predict the functionality of circuits. Multiple-gate devices will be preferred in nanoscale circuits, thus calling for accurate and reliable compact models, an important prerequisite for successful circuit design. In this book we present explicit compact charge and capacitance models adapted for doped and undoped devices (doped Double-Gate (DG) MOSFETs, undoped DG MOSFETs, undoped Ultra-Thin-Body (UTB) MOSFETs and undoped...

Оставить комментарий

Оцените книгу:

Издательство: Книга по требованию
Дата выхода: июль 2011
ISBN: 978-3-6391-4882-4
Объём: 152 страниц
Масса: 252 г
Размеры(высота, ширина, толщина), см: 23 x 16 x 1

Вместе с этой книгой покупают

Просмотренные товары