книги Наука, техника, медицина Техника Транспорт Воздушный транспорт

Manhong Zhang

Gate Stacks with High-k Dielectrics and Metal Electrodes. Fermi Level Pinning and Dipoles Induced by Lanthanide Oxides

Код 911459

ISBN: 978-3-6391-5068-1
124 страницы

июль 2011
Книга по требованию
209 г

Нет в продаже

Аннотация к книге "Gate Stacks with High-k Dielectrics and Metal Electrodes. Fermi Level Pinning and Dipoles Induced by Lanthanide Oxides"

Continuing to scale down the transistor size makes the adoption of high-k gate dielectrics and metal electrodes necessary. However, there are still a lot of problems with high-k transistors such as Fermi-level pinning (FLP), which affects flatband voltage ?Vfb?and threshold voltages (Vth) directly. This book summarizes three FLP mechanisms in gate stacks with high-k dielectrics and metal electrodes? a dipole formation through (1) the mechanism of oxygen vacancy formation in a high-k dielectric...

Оставить замечание о найденной опечатке Версия для печати

Оставить комментарий

Текст комментария

Оцените книгу:

Издательство:	Книга по требованию
Дата выхода:	июль 2011
ISBN:	978-3-6391-5068-1
Объём:	124 страниц
Масса:	209 г
Размеры(высота, ширина, толщина), см:	23 x 16 x 1