книги Наука, техника, медицина Техника Транспорт Воздушный транспорт

Metal Gate Materials for CMOS Application. Process Technology and Material Science

Код 922215

Нет в продаже

Аннотация к книге "Metal Gate Materials for CMOS Application. Process Technology and Material Science"

Metal gates are expected to replace polysilicon gates beyond the 45nm technology node in order to achieve equivalent oxide thickness <1nm. Poly silicon gates suffer depletion effect, high resistivity, and boron penetration. Moreover, polysilicon gates are not compatible with high-k dielectric. Metal/high-k stack can save these issues and become the solution of gate stack for the sub 45nm technology node. The requirements of metal gates include several main factors, such as suitable work...

Оставить комментарий

Оцените книгу:

Издательство: Книга по требованию
Дата выхода: июль 2011
ISBN: 978-3-6392-5731-1
Объём: 196 страниц
Масса: 319 г
Размеры(высота, ширина, толщина), см: 23 x 16 x 1

Вместе с этой книгой покупают

Просмотренные товары

Просмотренные категории

Преподавание различных предметов