книги Наука, техника, медицина Естественные науки Точные науки Физика Научные издания Молекулярная физика

Next Generation MRAM Development. A 4kb MRAM Array for Spin Torque Transfer Switching Measurement

Код 1234981

Нет в продаже

Аннотация к книге "Next Generation MRAM Development. A 4kb MRAM Array for Spin Torque Transfer Switching Measurement"

Only recently has the possibility of a universal memory, a fast random access memory that retains its state during complete power-down, turned into a realizable opportunity. Such a memory can eliminate static power, improve system reliability in the face of power interruption, and eliminate the need for a separate FLASH memory module, reducing system component count. One candidate in the race for a universal memory is magnetoresistive random access memory (MRAM). In the development of MRAM,...

Оставить комментарий

Оцените книгу:

Издательство: Книга по требованию
Дата выхода: июль 2011
ISBN: 978-3-8383-5192-6
Объём: 144 страниц
Масса: 239 г
Размеры(высота, ширина, толщина), см: 23 x 16 x 1

Вместе с этой книгой покупают

Просмотренные товары