книги Наука, техника, медицина Техника Транспорт Воздушный транспорт

QUANTUM MECHANICAL EFFECTS ON MOSFET SCALING LIMIT. Challenges and Opportunies for Nanoscale CMOS

Код 899631

Нет в продаже

Аннотация к книге "QUANTUM MECHANICAL EFFECTS ON MOSFET SCALING LIMIT. Challenges and Opportunies for Nanoscale CMOS"

As CMOS technology continuous to be aggressively scaled, it approaches a point where classical physics is insufficient to explain the behavior of a MOSFET. At this classical physics limit, a quantum mechanical model becomes necessary to provide thorough assessment of the device performance and scaling. This book describes advanced modeling of nanoscale bulk MOSFETs incorporating critical quantum mechanical effects such as gate direct tunneling and energy quantization of carriers. The models...

Оставить комментарий

Оцените книгу:

Издательство: Книга по требованию
Дата выхода: июль 2011
ISBN: 978-3-8364-6183-2
Объём: 196 страниц
Масса: 319 г
Размеры(высота, ширина, толщина), см: 23 x 16 x 1

Вместе с этой книгой покупают

Просмотренные товары