книги Наука, техника, медицина Техника Легкая промышленность

Reliability Issues in Ultra-Scaled Flash Memories

Код 924008

Нет в продаже

Аннотация к книге "Reliability Issues in Ultra-Scaled Flash Memories"

The constant improvements in the silicon technology have resulted in a continuous reduction of the electron devices feature size. These technological developments strongly impact in device performance. One of the most important reliability issues in the last technological nodes is the Random Telegraph Noise (RTN). This is phenomenon affects the threshold voltage (VT) of the memory cell. A physics-based statistical model is presented and validated. Beyond the 60nm technology node, the...

Оставить комментарий

Оцените книгу:

Издательство: Книга по требованию
Дата выхода: июль 2011
ISBN: 978-3-6392-9361-6
Объём: 180 страниц
Масса: 295 г
Размеры(высота, ширина, толщина), см: 23 x 16 x 1

Книга находится в категориях

Химическая промышленность

Вместе с этой книгой покупают