Электронные свойства дислокаций в полупроводниках
Осипьян Ю.А. (Ред.)
Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорныхстатей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В...
ISBN: 5-8360-0068-9
Издательство:
URSS
Дата выхода: декабрь 1999
Найденных опечаток пока нет
Добавить запись